40納米

40納米

技術簡介

中芯国际是中国大陆第一家提供40納米技术的晶圆厂。40納米标准逻辑制程提供低漏电(LL)器件平台,核心组件电压1.1V,涵盖三种不同阈值电压,以及输入/输出组件 2.5V电压(超载 3.3V,低载 1.8V)以满足不同的设计要求。40納米逻辑制程结合了先进的浸入式光刻技术,应力技术,超浅结技术以及低介电常数介质。

特點

工藝組件選擇

标准工藝組件選擇

40納米低漏电器件(1.1V)

核心器件

高阈值電壓

標准阈值電壓

低阈值電壓

輸入輸出器件

2.5V

2.5V 超载 3.3V

2.5V 低载 1.8V

內存

單端高密度靜態存儲器(0.242μ㎡)

單端高性能靜態存儲器(0.303μ㎡)

雙端高密度靜態存儲器(0.477μ㎡)

雙端高性能靜態存儲器(0.600μ㎡)

應用産品

中芯国际40納米标准逻辑制程实现了高性能和低功耗的完美融合,适用于场景广泛,如:手機基帶及應用處理器,平板電腦多媒體應用處理器,數字電視,機頂盒,遊戲及其他無線互聯應用,正在研发的可工作在0.9v电压下的40納米超低功耗产品更是为IoT应用场景量身打造。

  • 手機基帶
    及應用處理器

  • 平板電腦多媒體
    應用處理器

  • 數字電視

  • 機頂盒

  • 遊戲及其他
    無線互聯應用