IGBT

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)

技術簡介

IGBT是一種新型電力半導體器件的平台性器件,具有高輸入阻抗,低導通壓降,驅動電路簡單,開關速度快,電流密度大等優點。

中芯集成电路制造(绍兴)有限公司是中芯国际的合资公司。IGBT平台从2015年开始建立,着眼于最新一代场截止型(Field Stop)IGBT结构,采用业界最先进及主流的背面加工工艺,包括Taiko背面减薄工艺、湿法刻蚀工艺、离子注入、背面激光退火及背面金属沉积工艺等。已完成整套深沟槽(Deep Trench)+薄片(Thin Wafer)+场截止(Field-Stop)技术工艺的自主研发,并相应推出600V~1200V等器件工艺,技术参数可达到业界领先水平。

特點

應用産品

可廣泛應用于工業變頻、白色家電、軌道交通、電動汽車、智能電網、風力發電和太陽能等行業。

  • 工業變頻

  • 白色家電

  • 軌道交通

  • 電動汽車

  • 智能電網

  • 電力發電

  • 太陽能